Company Profile

Silicon Storage Technology, Inc wurde im Jahr 1989 gegründet und ist ein führender Hersteller von verschiedensten Memory und „non-Memory“ Produkten für hoch volumige Anwendungen in den Digital-Consumer; wireless Communication und Internet computing Märkten. SST beschäftigt rund 580 Mitarbeiter weltweit bei einem Umsatz von ca. 315 Millionen US$ in 2008. Desweiteren ist SST der größte Lieferant für low density NOR Speicher. 

Mit der eigenen, patentierten SuperFlash Technology bietet SST eine nicht flüchtige Speicherlösung für die Produktfamilien in verschiedenen Speichergrößen mit hoch funktioneller Technologie an. SST bietet die Super Flash Technologie ebenso für embedded Anwendungen über verschiedenste world-class Anbieter und Technologie Lizensierung an. TSMC, z.B. bietet diese Technology unter ihrem TM Emb-Flash an. Die Produktpalette von SST umfasst ebenso NAND Controller basierende Produkte, Smart Card IC´s und Module sowie Mikrocontroller und radiofrequency IC´s und Module. 

Produkt Merkmale

Die SuperFlash Technologie und Speicherzelle hat eine Reihe von wichtigen Vorteilen für die Entwicklung und Fertigung von Flash-EEPROMs, oder die Einbettung SuperFlash Speicher in Logik, im Vergleich mit dem dünnen Gate-Oxid gestapelt oder zwei Transistor Ansätze. Diese Vorteile zu deutlichen Kosten und Zuverlässigkeit Nutzen für den Anwender. 

The SuperFlash® technology

Der SST SuperFlash Technologie nutzt in der Regel einen einfacheren Prozess mit weniger Maskierung Schichten im Vergleich zu anderen Flash-EEPROM Ansätze. Die reduziertenSchritte der Maskierung verringern die Kosten für die Herstellung eines Wafers. Die Zuverlässigkeit wird durch die Reduzierung der latenten Mangel Dichte, also verbessert. Ebenso durch weniger Schichten, um die möglichen Fehler verursacht durch Mechanismen zu reduzieren.

Die SST-Split-Gate-Speicherzelle ist vergleichbar mit einer einzelnen Transistor gestapelt Zelle Tor (für einen bestimmten Stand der Technik), doch bietet die Leistung und Zuverlässigkeit Vorzügen der traditionellen zwei Transistor-byte veränderlichen E2PROM Zelle. Mit dem Design, der SST-Split-Gate-Speicherzelle beseitigt die gestapelten Tor Ausgabe von "overerase", durch die Isolierung jede Speicherzelle aus der Bitleitung. "Erase stören" kann nicht auftreten, da alle Bytes gleichzeitig auf der gleichen Seite gelöscht und jede Seite ist komplett von allen anderen Seite während eines Hochspannungs-Betrieb isoliert.

Wenn Sie mehr über SST, Produkte und Technologie wissen möchten, besuchen Sie die SST Web Seite.